MODUL 2 ELEKTRONIKA

[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA]

DAFTAR ISI

1. Tujuan

2. Dasar Teori

3. Alat dan Bahan

4. Tugas Pendahuluan

5. Prosedur Percobaan

6. Percobaan

Percobaan ...

1. Fixed Bias
2. Self Bias
3. Voltage Divider Bias

MODUL 2

TRANSISTOR

1. Tujuan[Kembali]

1.          Mengetahui prinsip kerja transistor.

2.          Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian fixed bias.

3.          Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian self bias. 

4.      Mengetahui prinsip kerja dan karakteristik dari rangkaian voltage divider bias.

2. Dasar Teori[Kembali]

Transistor adalah komponen berbahan semikonduktor yang digunakan sebagai penguat, sirkuit pemutus, penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal. Pada umumnya transistor memiliki 3 terminal yaitu Basis (B), emitter (E) dan collector (C). Berdasarkan susunan semikonduktor yang membentuknya, transistor dibedakan menjadi dua tipe, yaitu:  

             1. Transistor NPN

                        Transistor ini disusun oleh bahan semikonduktor tiga lapis yang terdiri dari dua bahan                     tipe N dan satu bahan tipe P.

             2. Transistor PNP

                        Transistor ini disusun oleh bahan semikonduktor tiga lapis yang terdiri dari dua bahan                     tipe P dan satu bahan tipe N.

 

(a)                                                 (b)

Gambar 2.1 (a) Tipe Transistor NPN (b) Tipe Transistor PNP

 

A. Daerah Operasi Transistor

Berdasarkan kurva hubungan Vce, Ic dan Ib di atas, terdapat beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor, yaitu:

1. Daerah Potong (Cutoff)

Pada kondisi cutoff, arus Basis (Ib) = 0 dan arus Kolektor (Ic) = 0, hal ini dikarenakan pada emitter dan kolektor meenerima reverse bias.

2. Daerah saturasi

Pada kondisi saturasi, arus Kolektor (Ic) akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis (Ib) dan βdc, hal ini dikarenakan pada emitter dan kolektor menerima forward bias.

3. Daerah Aktif

Pada kondisi aktif, terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana: 

Hal ini dikarenakan pada emitter menerima forward bias sedangkan pada kolektor menerima reverse bias.

4. Daerah Breakdown

Pada breakdown ini dapat terjadi ketika arus kolektor (Ic) melebihi spesifikasi yang diperbolehkan, kondisi breakdown ini dapat mengakibatkan kerusakan pada transistor, maka daerah ini harus dihindari.

 

B. Pemberian Bias pada BJT

Istilah bias dimaksudkan penerapan tegangan dc untuk menetapkan tingkat arus dan tegangan tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakn titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. terdapat beberapa jenis pemberian bias pada BJT, sebagai berikut:

1. Fixed Bias

2. Self Bias

3. Voltage Divider Bias

3. Alat dan Bahan[Kembali]

 A. Alat

    a).  Transistor 2N3904

    b). Resistor 1K, 10K, 560 ohm

 

 

    c). DC Power Supply

      d) Multimeter

       (e) Jumper

B. Bahan

a) Dioda 1N4001

b) Resistor

    

  

4. Tugas Pendahuluan

5. Prosedur Percobaan[Kembali]

1.   Fixed Bias

1.     Buatlah rangkaian seperti gambar 2.4 dengan sumber DC

2.   Atur Vcc sebesar 12 Volt DC

3.    Hidupkan Power supply dan ukur parameter Rb, Rc, Vrb, Vrc, Vb, Vc, Vbe, Vce, Ib dan Ic serta dicatat ke dalam tabel.

2.  Self Bias

 

1.    Buatlah rangkaian seperti gambar 2.4 dengan sumber DC

2.    Atur Vcc sebesar 12 Volt DC.

3.    Hidupkan poer supply dan ukur parameter Rb, Rc, Re, Vrb, Vrc, Vre, Vb, Vc, Ve, Vbe, Vce, Ib, dan Ic serta dicatat ke dalam tabel.

 3.  Voltage Divider Bias

 

1.    Buatlah rangkaian seperti gambar 2.5 dengan sumber DC

2.    Atur Vcc sebesar 12 Volt DC.

3.    Hidupkan poer supply dan ukur parameter Rb, Rb2, Rc, Re, Vrb, Vrc, Vre, Vb, Vc, Ve, Vbe, Vce, Ib, dan Ic serta dicatat ke dalam tabel.